Description générale
Le MOSFET FDC604P de ON Semiconductor est un transistor à effet de champ de type canal P, conçu pour des applications nécessitant une puissance maximale de 800 mW. Ce composant est encapsulé dans un boîtier SOT-23-6, idéal pour un montage en surface, et est particulièrement adapté aux circuits de commande de niveau logique.Spécifications techniques
- Type : MOSFET Canal P
- Boîtier : SOT-23-6
- Puissance maximale (P(TOT)) : 800 mW
- Courant de drain (I(d)) : 5.5 A
- Tension de rupture (U(DSS)) : 20 V
- Tension de seuil (U(GS)(th)) : 1.5 V
- Capacité d'entrée (C(ISS)) : 1926 pF
- Résistance à l'état passant (R(DS)(on)) : 33 mΩ
- Charge de grille (Q(G)) : 30 nC
- Température de fonctionnement (min.) : -55 °C
- Température de fonctionnement (max.) : +150 °C
- Tension de référence (Q(G) et R(DS)(on)) : 4.5 V
- Courant de référence max. : 250 µA
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