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ON Semiconductor MMBFJ201 MOSFET 1 Canal N 350 mW SOT-23-3

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Informations produit

Description

Description générale

Le MOSFET ON Semiconductor MMBFJ201 est un transistor à effet de champ de type canal N, conçu pour des applications nécessitant une puissance maximale de 350 mW. Ce composant est encapsulé dans un boîtier SOT-23-3, idéal pour le montage en surface.

Spécifications techniques

  • Fabricant : ON Semiconductor
  • Type : MMBFJ201
  • Nombre de sorties : 1
  • Puissance maximale : 350 mW
  • Température de fonctionnement (max.) : +150 °C
  • Température de fonctionnement (min.) : -55 °C
  • Tension de rupture U(BR)(DSS) : 40 V
  • Tension de seuil U(GS)(off) : 300 mV
  • Courant de référence U(GS)(off) : 10 nA
  • Type de boîtier : SOT-23-3
  • Type de montage : montage en surface
  • Type de transistor : MOSFET
  • Caractéristiques

    • Marque
      ON SEMICONDUCTOR
    • Quantité par pack
      1
    • Fonction du disjoncteur
      Moteur
    • Hauteur
      1.12 mm
    • Largeur
      2.64 mm
    • Matières
      Plastique
    • Mode de pose électricité
      Saillie
    • Tension électrique
      40 V
    • Type de disjoncteur
      Coupe circuit
    • Réf. ManoMano
      ME81543801
    • MMID
      116002983718
    • Réf. fabricant
      MMBFJ201 2050002655010
    • EAN
      2050002655010

    Questions fréquentes

    Quelle est la température de fonctionnement maximale et minimale de ce dispositif ?

    La température de fonctionnement maximale de ce dispositif est de +150 °C, tandis que la température minimale est de -55 °C.

    Quelle est la puissance maximale que ce composant peut supporter ?

    Ce composant peut supporter une puissance maximale de 350 mW.

    Quelle est la tension de rupture de ce dispositif ?

    La tension de rupture de ce dispositif est de 40 V.

    Réponses générées par IA à partir des informations vendeur
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