ON Semiconductor FDS6930B MOSFET 2 Canal N 900 mW SOIC-8 A820261

fabricant et numéro du fabricant

ON SemiconductorFDS6930B

notes spéciales

+ image primaire

données techniques

• C(ISS): 412 pF
• Contenu: 1 pc(s)
• I(d): 5.5 A
• Puissance (max) P(TOT): 900 mW
• Q(G) Tension de référence: 5 V
• Q(G): 3.8 nC
• R(DS)(on) Courant de référence: 5.5 A
• R(DS)(on): 38 mΩ
• Température de fonctionnement (max.): +150 °C
• Température de fonctionnement (min.): -55 °C
• Tension de référence C(ISS): 15 V
• Tension de référence R(DS)(on): 10 V
• U(DSS): 30 V
• U(GS)(th) Courant de référence max.: 250 µA
• U(GS)(th) max.: 3 V

informations supplémentaires

MOSFET

Fairchild Semiconductor FDS6930B
Type de boîtier (semi-conducteur): SOIC-8
Conditionnement: 1 pc(s)

Données techniques :
C(ISS) : 412 pF · C(ISS) Tension de référence : 15 V · Fabricant : Fairchild Semiconductor · Fonction FET : Porte de niveau logique · I(d) : 5.5 A · Nombre de sorties : 2 · Puissance maxi : 900 mW · Q(G) : 3.8 C · Q(G) Tension de référence : 5 V · R(DS)(on) : 38 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 5.5 A · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du fabricant (composants) : FSC · Série (semiconducteur) : PowerTrench® · Température de fonctionnement (max.) (num) : +150 °C · Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 30 V · Type (type fabricant) : FDS6930B · Type de FET : Canal N · Type de boîtier (semi-conducteur) : SOIC-8 · Type de montage : montage en surface · Type de transistor (Catégorisation) : MOSFET · U(DSS) : 30 V · U(GS)(th) Courant de référence max. : 250 µA · U(GS)(th) max. : 3 V

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