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Transistor Hgtg20n60a4d Igbt 600v 70a 190w To247 20n60a4d

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Informations produit

Description

LES SPÉCIFICATIONS TECHNIQUES :

  • Fabricant ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
  • Type de transistor IGBT
  • Tension collecteur-émetteur 600V
  • Courant de collecteur 40A
  • Puissance dissipée 190W
  • Logement TO247-3
  • Entrée - tension de l'émetteur ±20V
  • Courant de collecteur dans l'impulsion 280A
  • Charge de la porte 210nC

Caractéristiques

  • Marque
    ON SEMICONDUCTOR
  • Longueur
    10 cm
  • Largeur
    100 mm
  • Hauteur
    100 mm
  • Poids
    100 g

Avis clients

PPhilippe
Publié le 23/02/2022, France

Conforme

Conseil par

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