Testeur de transistors graphique, haute qualité, pour diodes, triodes, SCR, capacité, inductance

Plages de test : inductances, condensateurs, diodes, diodes doubles, MOS, transistors, SCR, régulateurs, tubes LED, ESR, résistances, potentiomètres ajustables. Caractéristiques : utilisation simplifiée (un seul bouton), arrêt automatique (courant d'arrêt de seulement 20 nA). Détection automatique des transistors bipolaires NPN et PNP, des transistors MOS FET à canal N et P, des JFET, des diodes, des diodes doubles, des thyristors unidirectionnels et bidirectionnels de faible puissance. Identification automatique du brochage des composants. Mesure du facteur d'amplification du courant et de la tension de seuil base-émetteur des transistors bipolaires. Identification des transistors Darlington grâce à la tension de seuil base-émetteur et au facteur d'amplification du courant. Détection des diodes de protection pour transistors bipolaires et MOS. Mesure de la tension de seuil de grille et de la capacité de grille des transistors MOS FET. Mesure simultanée de deux résistances avec affichage du symbole « s ». Affichage de la valeur décimale (4) à droite. Le symbole « s » de la résistance indique le numéro de broche de chaque côté. Vous pouvez donc mesurer le potentiomètre. Si le curseur du potentiomètre n'est pas déplacé en position extrême, on peut distinguer le milieu et les extrémités de la broche. La résolution de mesure de résistance est de 0,1 ohm, jusqu'à 50 MΩ. Il est possible de mesurer des capacités de 30 pF à 100 mF, avec une résolution de 1 pF. Il est possible de mesurer simultanément la résistance série équivalente (ESR) de condensateurs de 2 µF et plus. Les deux valeurs peuvent être affichées avec une décimale, avec une résolution de 0,01 ohm. Il est possible d'afficher le symbole « S » d'une diode et d'indiquer sa tension directe. Une LED est détectée lorsque sa tension directe est supérieure à celle de la diode. Un ensemble de LED est identifié comme deux diodes. Une diode Zener peut être identifiée si sa tension de claquage inverse est inférieure à 4,5 V. Il est possible de mesurer la capacité inverse d'une diode. Si un transistor bipolaire est connecté entre sa base et le collecteur ou l'émetteur d'une broche, il est possible de mesurer la capacité inverse de la jonction collecteur ou émetteur. Peut être obtenu avec un pont redresseur de mesure unique. Utilise un écran LCD 12864 avec rétroéclairage vert. Spécifications : Type : type A, type B (en option) Courant de veille : 2 mA Écran LCD : 128 × 64 Pile : pile 9 V (non fournie) Résistance : résolution de 0,1 ohm, maximum 50 MΩ Condensateur : 25 pF à 100 000 µF Inductances : 0,01 mH à 20 H Dimensions de l’emballage : 71 × 63 × 60 mm Poids de l’emballage : 50 g Contenu de l’emballage : 1 × Testeur de transistors