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ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MJE13007G TO-220AB 1 NPN
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Informations produit
Description
enquête
ON Semiconductor MJE13007G
Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB
Contenu: 1 pc(s)
description
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À propos de nous
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informations supplémentaires
Transistor de commutation de puissance
Spécifications techniques :
Contenu: 1 pc(s)
Taper (Type de fabricant): MJE13007G
Caractéristiques
- MarqueON SEMICONDUCTOR
- Longueur2.9 cm
- Largeur10 mm
- Hauteur4 mm
- Puissance80 W
Questions fréquentes
Ce composant peut supporter une puissance maximale de 80 W, ce qui le rend adapté à des applications nécessitant une dissipation thermique importante.
La tension maximale entre le collecteur et l'émetteur est de 400 V, ce qui permet son utilisation dans des circuits à haute tension.
Ce composant peut gérer un courant maximal de 8 A, ce qui le rend adapté aux applications nécessitant une intensité élevée.


















