Infineon Technologies IRFP3206PBF MOSFET 1 Canal N 280 W TO-247AC
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Informations produit
Description
Informations techniques
Abréviation du fabricant (composants) : INF
C(ISS) : 6540 pF
Caractéristique du transistor : Standard
I(d) : 120 A
Nombre de canaux : 1
Puissance (max) P(TOT) : 280 W
Q(G) : 170 nC
Q(G) Tension de référence : 10 V
R(DS)(on) : 3 mΩ
R(DS)(on) Courant de référence : 75 A
Série (semiconducteur) : HEXFET®
Température de fonctionnement (max.) : +175 °C
Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C
Tension de rupture U(BR) (DSS) : 60 V
Tension de référence C(ISS) : 50 V
Tension de référence R(DS)(on) : 10 V
Type (transistors) : Canal N
Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-247AC
Type de montage : trou traversant
U(DSS) : 60 V
U(GS)(th) Courant de référence max. : 150 µA
U(GS)(th) max. : 4 V
Configuration requise
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- null
Caractéristiques
- MarqueINFINEON TECHNOLOGIES
- Longueur3.5 cm
- Tension électrique10 V
- MatièresMétal
- Intensité nominaleAC
Questions fréquentes
Ce composant peut fonctionner dans une plage de températures allant de -55 °C à +175 °C, ce qui le rend adapté à des environnements variés et exigeants.
Oui, ce composant peut supporter un courant de drain maximal de 120 A, ce qui le rend adapté aux applications nécessitant un courant élevé, comme les systèmes de contrôle de moteur ou les alimentations à découpage.
Ce composant est conçu pour un montage en trou traversant, ce qui nécessite de le souder directement sur un circuit imprimé.
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