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Infineon Technologies IRFB3206PBF MOSFET 1 Canal N 300 W TO-220AB Q87051

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Informations produit

Description

Description générale

Le MOSFET Infineon Technologies IRFB3206PBF est un transistor à effet de champ de type canal N, conçu pour des applications nécessitant une puissance élevée. Avec une capacité de courant allant jusqu'à 120 A et une puissance maximale de 300 W, ce composant est idéal pour des projets d'électronique avancés.

Spécifications techniques

  • Type de boîtier : TO-220AB
  • Capacité d'entrée (C(ISS)) : 6540 pF
  • Tension de rupture (U(DSS)) : 60 V
  • Tension de référence (R(DS)(on)) : 10 V
  • Résistance à l'état passant (R(DS)(on)) : 3 mΩ
  • Température de fonctionnement (max.) : +175 °C
  • Température de fonctionnement (min.) : -55 °C
  • Charge de porte (Q(G)) : 170 nC
  • Tension de seuil (U(GS)(th)) : 4 V
  • Courant de référence max. : 150 µA

    • Compatibilité et accessoires

  • Compatible avec les applications nécessitant un MOSFET de puissance élevée.

    • Caractéristiques

    • Marque
      INFINEON TECHNOLOGIES
    • Longueur
      2.9 cm
    • Puissance
      300 W
    • Tension électrique
      10 V
    • Intensité courant
      120 A

    Impact environnemental

    • Origine
      Fabriqué en Chine

    Questions fréquentes

    Ce composant peut fonctionner dans une plage de températures allant de -55 °C à +175 °C, ce qui le rend adapté à des environnements exigeants.

    La résistance à l'état passant est de 3 mΩ, ce qui garantit une faible perte d'énergie lors de son utilisation.

    Oui, ce composant est conçu pour des applications nécessitant une puissance élevée, avec une capacité maximale de 300 W et un courant allant jusqu'à 120 A.

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