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Transistor Igbt 1200v 40a 200w To264 Fgl40n120andtu Fgl40n120et

Informations produit

Description

Fabricant	ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Type de transistor	IGBT
Tension collecteur-émetteur	1.2kV
Courant de collecteur	40A
Un pouvoir dispersé	200W
Logement	TO264
Entrée - tension de l'émetteur	±25V
Courant de collecteur pulsé	160A
Assemblée	THT
Chargement de la porte	330nC

FGL40N120ANDTU | Transistor: IGBT; 1,2kV; 40A; 200W; TO264

Caractéristiques

Marque
ON SEMICONDUCTOR
Garantie
3 an(s)
Couleur
Multicouleur
Hauteur
100 mm
Intensité courant
40 A
Largeur
100 mm
Mode de pose électricité
Avec vis
Poids
100 g
Puissance
35 W
Tension électrique
25 V
Type de contact
Normalement ouvert
Réf. ManoMano
ME28161109
MMID
648848574668
Réf. fabricant
47394-DI

Questions fréquentes

La tension maximale supportée entre le collecteur et l'émetteur est de 1,2 kV, ce qui permet une utilisation dans des applications nécessitant une haute tension.

Oui, ce composant peut gérer des courants pulsés jusqu'à 160 A, ce qui le rend adapté aux applications nécessitant des pics de courant importants.

Ce composant est conçu pour être fixé par soudure, ce qui garantit une connexion stable et durable dans les circuits électroniques.

Réponses générées par IA à partir des informations vendeur

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