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STMicroelectronics Transistor (BJT) - Discret TIP120 TO-220AB 1 NPN - Darlington Q37645

Name: STMicroelectronics Transistor (BJT) - Discret TIP120 TO-220AB 1 NPN - Darlington Q37645
Brand: STMICROELECTRONICS
SKU: tip1202050000011726
Availability: OutOfStock
Rating: 5 (1 reviews)

Produit épuisé

Informations produit

Description

Description générale

Transistor bipolaire NPN de type Darlington, le TIP120 de STMicroelectronics est un composant électronique de haute performance, idéal pour diverses applications en électronique. Ce transistor est conçu dans un boîtier TO-220AB et est reconnu pour sa fiabilité et son efficacité dans la gestion des courants élevés.

Spécifications techniques

Type : Transistor (BJT) - Discret

Fabricant : STMicroelectronics

Type de boîtier : TO-220AB

Courant du collecteur (IC) : 5 A

Gain en courant DC (hFE) : min. 1000

Puissance maximale (P(TOT)) : 2 W

Tension - Collecteur-émetteur max. : 60 V

Saturation VCE (max.) : 4 V

Courant résiduel collecteur-base (max.) : 500 µA

Tension de référence pour hFE : 3 V

Conditionnement : 1 pc(s)

Compatibilité et accessoires

Disponible en logiciel PCB : Target 3001!

Caractéristiques

Marque
STMICROELECTRONICS
Longueur
2.9 cm
Puissance
2 W
Tension électrique
220 V
Intensité courant
5 A

Questions fréquentes

Non, ce composant est conçu pour un courant de collecteur maximal de 5 A. Dépasser cette limite pourrait endommager le dispositif ou compromettre son fonctionnement.

La tension maximale entre le collecteur et l'émetteur est de 60 V. Il est important de ne pas dépasser cette valeur pour éviter tout risque de défaillance.

Oui, ce composant présente un courant résiduel collecteur-base maximal de 500 µA, ce qui le rend adapté aux applications où un faible courant résiduel est requis.

Réponses générées par IA à partir des informations vendeur