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Infineon Technologies Transistor (BJT) - Discrêt, prépolarisé BCR133 TO-236-3 1 NPN - Prépolarisé Tape cut Q32731

Produit épuisé

Informations produit

Description

Description générale

Transistor bipolaire (BJT) prépolarisé Infineon Technologies BCR133, conçu pour des applications électroniques variées. Ce transistor est un composant discret de haute performance, idéal pour les circuits nécessitant un gain de courant élevé et une faible consommation d'énergie.

Spécifications techniques

  • Type : NPN - Prépolarisé
  • Type de boîtier : TO-236-3
  • Courant résiduel collecteur (I(CES)) : 100 nA
  • Courant du collecteur (I(C)) : 100 mA
  • Fréquence de transition (f(T)) : 130 MHz
  • Gain en courant DC (hFE) : 30 à 100 (pour I(C) = 5 mA)
  • Puissance maximale (P(TOT)) : 200 mW
  • Tension collecteur-émetteur maximale (V(CE)) : 50 V
  • Saturation V(CE) (max.) : 300 mV
  • Résistance de base (R1) : 10 kΩ
  • Résistance base-émetteur (R2) : 10 kΩ

    • Compatibilité et accessoires

  • Compatible avec les logiciels de conception PCB tels que Target 3001!

    • Autres informations

  • Documentation technique disponible en téléchargement gratuit sur internet.

    • Caractéristiques

    • Marque
      INFINEON TECHNOLOGIES
    • Puissance
      200 W
    • Tension électrique
      5 V
    • Matières
      Plastique
    • Intensité nominale
      DC
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