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ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MJ11016G TO-3 1 NPN - Darlington Q39274

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Informations produit

Description

Description générale

Transistor bipolaire NPN de type Darlington, le MJ11016G d'ON Semiconductor est conçu pour des applications nécessitant une puissance élevée. Ce transistor est idéal pour les circuits de commutation et d'amplification, offrant des performances fiables et une grande efficacité.

Spécifications techniques

  • Type : NPN - Darlington
  • Type de boîtier : TO-3
  • Courant du collecteur (IC) : 30 A
  • Fréquence de transition (fT) : 4 MHz
  • Gain en courant DC (hFE) : 1000
  • Puissance maximale (PTOT) : 200 W
  • Tension collecteur-émetteur maximale : 120 V
  • Saturation VCE (max) : 4 V
  • Courant résiduel collecteur (ICES) : 1 mA
  • Tension de référence pour hFE : 5 V
  • Nombre de sorties : 1
  • Type de montage : trou traversant
  • Autres informations

  • Documentation technique disponible en téléchargement gratuit
  • Caractéristiques

    • Marque
      ON SEMICONDUCTOR
    • Largeur
      9.1 cm
    • Hauteur
      2 cm
    • Puissance
      200 W
    • Tension électrique
      120 V

    Questions fréquentes

    Ce dispositif peut supporter une puissance maximale de 200 W, ce qui le rend adapté aux applications nécessitant une gestion de puissance élevée.

    Oui, ce composant peut gérer un courant de collecteur allant jusqu'à 30 A, ce qui le rend approprié pour des montages nécessitant un courant élevé.

    Ce composant est conçu pour un montage par trou traversant, ce qui nécessite de le fixer à l'aide de vis pour une installation sécurisée.

    Réponses générées par IA à partir des informations vendeur
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    Le spécialiste français du bricolage, maison, jardin

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    Livraison et retours gratuits pendant 100 jours avec ManoExpress. ,[object Object]

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    Paiement jusqu'à 12x par carte bancaire avec Alma. ,[object Object]

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