TRU COMPONENTS Transistor (BJT) - Discret TC-BC337-25 TO-92 1 NPN S696221

TRU COMPONENTS Transistor (BJT) - Discret TC-BC337-25 TO-92 1 NPN S696221
TRU COMPONENTS Transistor (BJT) - Discret TC-BC337-25 TO-92 1 NPN S696221
TRU COMPONENTS
400
20€ offerts sur le premier achatProfessionnels, prix pros HT
Bon à savoir
  • Garantie 2 ans

Détails du produit

Caractéristiques

  • Longueur
    32 mm
  • Largeur
    13 mm
  • Hauteur
    0.4 cm
  • Poids
    0 kg
  • Tension électrique
    45 V
  • Intensité courant
    0.8 A
  • Matières
    Polystyrène (PS)
  • Courant
    DC
  • Quantité par pack
    1
  • Garantie
    2 ans
  • Voir tout

Impact environnemental

  • Origine
    Fabriqué en Allemagne

Description

enquête

TRU COMPONENTS TC-BC337-25 1581833
Type de boîtier (semi-conducteur): TO-92
Contenu: 1 pc(s)

description

Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet.

fabricant et numéro du fabricant

TRU COMPONENTS1581833

données techniques

  • Collecteur courant résiduel I(CES): 100 nA
  • Contenu: 1 pc(s)
  • Courant du collecteur CI: 800 mA
  • Fréquence de transition f(T): 100 MHz
  • Gain en courant DC hFE - Courant de référence: 300 mA
  • Puissance (max) P(TOT): 625 mW
  • Puissance courant DC hFE - tension de référence: 1 V
  • Saturation VCE (max.): 700 mV
  • Tension - Collecteur-émetteur max.: 45 V

informations supplémentaires

Transistor (BJT) - Discrêt

TRU Components TC-BC337-25 1581833
Type de boîtier (semi-conducteur): TO-92
Conditionnement: 1 pc(s)

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Données techniques :
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) : 100 nA · Courant du collecteur CI : 800 mA · Fabricant : TRU Components · Fréquence - Transition : 100 MHz · Gain à courant c.c. (hFE) (min.) : 100 · Ic : 300 mA · Nombre de canaux : 1 · Puissance (max) P(TOT) : 625 mW · Sigle du fabricant (composants) : TRU · Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) : 45 V · Type (type fabricant) : TC-BC337-25 · Type de FET : NPN · Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-92 · Type de montage : trou traversant · Type de transistor (Catégorisation) : Transistor (BJT) - Discrêt · Vce : 1 V · Vce Saturation (max.) : 700 mV

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