Testeur de transistor écran 1.44 pouces multifonctionnel condensateur, résistance, Mosfet, mètre diode composant électronique

Caractéristiques:

1. [Plage de 0,01 à 32 V] Adoptant une conception de canal de mesure indépendante, spécialement conçue pour la diode Zener, avec une plage mesurable de 0,01 à 32 V, alimentation avant la mesure.
2. [Efficace et pratique] Prend en charge le décodage du signal infrarouge NRC pour des tests de télécommande faciles. Ses fonctionnalités précises, efficaces et pratiques offrent un soutien solide aux utilisateurs.
3. [Carte de test remplaçable] Intégrant de manière innovante une fonctionnalité de montage de patch remplaçable pour répondre facilement à divers besoins de test, bénéficiant d'une commodité et d'une efficacité sans précédent.
4. [Anti-brûlure] Dispose d'un mécanisme de protection humanisé qui décharge le condensateur non déchargé lors de l'insertion pour éviter toute brûlure, garantissant ainsi la sécurité pendant l'utilisation.
5. [Détection efficace] Branchez et serrez simplement, identification rapide à un seul bouton des paramètres des composants, économisant du temps et des efforts.

Spécifications:

Type d'élément : Testeur de transistor
Matériau : ABS
Modèle : P1
Écran d'affichage : 1,44 pouces
Capacité de la batterie : Batterie au lithium rechargeable 300 mAh x 1 (intégrée)
Spécifications de charge : USB Type C, 5 V 1 A
Taille : env. 71 x 87 x 28 mm / 2,80 x 3,43 x 1,10 pouces
Catégorie Gamme Expliquer
Triode 10 Facteur d'amplification hfe, tension de l'émetteur de base Ube, Ic/le, courant de coupure inverse de l'émetteur collecteur lceo, lces, diode de protection chute de tension directe Uf
Diode Chute de tension positive Chute de tension directe, capacité de jonction, courant de fuite inverse
Diode Zener Chute de tension directe 0,01-4,5 V (zone de test 1-2-3), tension de claquage inverse
Tension de claquage inverse 0,01-32 V (zone de test K-A-A)
Transistor à effet de champ JFET Courant de drainage ld sous la capacité de grille Cg, Vgs, protégeant la chute de tension directe Uf de la diode
IGBT Courant de drainage ld sous Vgs, protégeant la chute de tension directe Uf de la diode
MIOSTET Tension ouverte Vt, capacité de grille Cg, résistance de drain source Rds, protégeant la chute de tension directe Uf de la diode
thyristor unidirectionnel Tension d'activation Tension de grille
thyristor bidirectionnel Courant de déclenchement de grille
Condensateur 25pF-100mF Valeur de capacité, coefficient de perte Vloss, résistance interne
Résistance 0,01Ω-50MΩ Valeur de résistance
Inductance Valeur d'inductance 10 μH-1 000 μH, résistance CC
Batterie 0,1-4,5 V Valeur de tension, polarité positive et négative

Comment utiliser:

Reportez-vous au manuel d’instructions pour le fonctionnement.

Liste de colis:

1 x testeur de transistor
1 x carte de test
1 x câble de données
1 x manuel d'utilisation
3 x crochet de test