Photodiode VISHAY, BPV10NF, pour infrarouge, boîtier T-1 3/4 (5mm, noir)

Photodiode PIN en silicium très rapide et sensible, avec des temps de commutation extrêmement courts, pour des fréquences de transmission allant jusqu'à 100 MHz, conforme RoHS. Données techniques : - Longueur d'onde : 790-940-1050 nm (50%-max.-50%) - Tension inverse minimale VR : 60 V - Courant de blocage I ra : min. 30 µA ; typ. 60 µA @ 1mW/cm² ; 950 nm ; 5 V - Courant d'obscurité I r0 : typ. 1 nA ; max. 5 nA @ VR = 20 V - Courant de court-circuit I k : typ. 50 µA @1 mW/cm² ; 870 nm - Capacité de blocage CD : typ. 11 pF @ VR = 0 V - Temps de montée et descente tr,tf : typ. 2,5 ns @ 50 Ohm ; 50 V ; 820 nm - Surface du capteur : 0,78 mm² - Angle d'ouverture : +/- 20° @ 50% - Température de fonctionnement : -40 à 100 °C - Montage : THT