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ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret 2N3906BU TO-92-3 1 PNP Q82248

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Informations produit

Description

Description générale

Transistor bipolaire (BJT) de type PNP, modèle 2N3906BU, conçu pour des applications électroniques variées. Ce transistor est disponible dans un boîtier TO-92-3 et est reconnu pour sa fiabilité et ses performances élevées dans le domaine de l'électronique.

Spécifications techniques

  • Type de boîtier : TO-92-3
  • Courant du collecteur (Ic) : -200 mA
  • Fréquence de transition (f(T)) : 250 MHz
  • Gain en courant DC (hFE) : 100 (min.)
  • Puissance maximale (P(TOT)) : 625 mW
  • Tension collecteur-émetteur maximale : -40 V
  • Tension de saturation VCE (max.) : -400 mV
  • Compatibilité et accessoires

  • Disponible en logiciel PCB : Target 3001!
  • Caractéristiques

    • Marque
      ON SEMICONDUCTOR
    • Couleur
      Noir
    • Hauteur
      4 mm
    • Largeur
      5 mm
    • Mode de pose électricité
      Avec vis
    • Nombre de contact(s)
      1
    • Réf. ManoMano
      ME13417654
    • MMID
      381391796655
    • Réf. fabricant
      2n3906bu2050000047510
    • EAN
      2050000047510

    Impact environnemental

    • Origine
      Fabriqué en Allemagne

    Questions fréquentes

    Ce composant peut supporter une puissance maximale de 625 mW, ce qui le rend adapté à des applications nécessitant une dissipation thermique modérée.

    Avec une fréquence de transition de 250 MHz, ce composant est bien adapté pour des circuits électroniques fonctionnant à des fréquences élevées.

    Ce composant peut supporter une tension collecteur-émetteur maximale de -40 V et un courant du collecteur jusqu'à -200 mA. Il est important de ne pas dépasser ces valeurs pour éviter tout dommage.

    Réponses générées par IA à partir des informations vendeur
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