ON SEMICONDUCTOR J-FET, transistor à petit signal, J111, canal N, TO-92

Pour interrupteurs analogiques ; circuits sample-hold ; amplificateurs hacheurs ; suiveurs d'impédance (photodiodes) ; amplificateurs BF/RF ; sources de courant constant ; résistances contrôlables dans des circuits de régulation ; amplificateurs de guitare, etc. ; montage THT. Autres J-FET pour ces applications : J112 ; J113 ; (Canal P : J175 ; J176). Données techniques : - U DG max : 35 V - U GS max : -35 V - I GF max : 50 mA - U GS-off : -3 … -10 V - I DSS min : 20 mA - g fs : typ. 30 mA/V @ U DS = 15 V ; U GS = 0 V - t on / t d on : voir fiche technique - t off / t d off : voir fiche technique - R DS on max : 30 Ohm - Bruit : 3,5 nV/Sqrt Hz @ I D = 1 mA ; f = 1 kHz - P V max : 625 mW @ 25 °C – 5 mW/°C