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Informations produit
Description
Informations techniques
Abréviation du fabricant (composants) : OnS
C(ISS) : 2050 pF
Caractéristique du transistor : Standard
I(d) : 8 A
Nombre de canaux : 1
Puissance (max) P(TOT) : 178 W
Q(G) : 45 nC
Q(G) Tension de référence : 10 V
R(DS)(on) : 1.55 Ω
R(DS)(on) Courant de référence : 4 A
Série (semiconducteur) : QFET®
Température de fonctionnement (max.) : +150 °C
Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C
Tension de rupture U(BR) (DSS) : 800 V
Tension de référence C(ISS) : 25 V
Tension de référence R(DS)(on) : 10 V
Type (transistors) : Canal N
Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-220-3
Type de montage : trou traversant
U(DSS) : 800 V
U(GS)(th) Courant de référence max. : 250 µA
U(GS)(th) max. : 5 V
Caractéristiques
- MarqueON SEMICONDUCTOR
- Intensité courant8 A
- Quantité par pack1
- Fonction du disjoncteurMoteur
- Indice de protectionIP20
Impact environnemental
- OrigineFabriqué en Chine
Questions fréquentes
Ce dispositif peut supporter une puissance maximale de 178 W, ce qui le rend adapté pour des applications nécessitant une puissance élevée.
La tension de rupture de ce composant est de 800 V, ce qui permet une utilisation dans des circuits à haute tension.
Les températures de fonctionnement vont de -55 °C à +150 °C, ce qui permet une utilisation dans des environnements variés.
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