Description générale
Le MOSFET ON Semiconductor BS170 est un transistor à effet de champ de type canal N, conçu pour des applications nécessitant une puissance maximale de 350 mW. Ce composant est idéal pour les circuits électroniques où un contrôle efficace du courant est requis.Spécifications techniques
- Type : MOSFET Canal N
- Boîtier : TO-92
- Puissance maximale (P(TOT)) : 350 mW
- Courant de drain (I(d)) : 500 mA
- Résistance à l'état passant (R(DS)(on)) : 5 Ω
- Température de fonctionnement (max.) : +150 °C
- Température de fonctionnement (min.) : -55 °C
- Tension de rupture (U(DSS)) : 60 V
- Tension de seuil (U(GS)(th)) : 3 V
- Capacité d'entrée (C(ISS)) : 60 pF
- Tension de référence (C(ISS)) : 10 V
- Tension de référence (R(DS)(on)) : 10 V
- Courant de référence max. : 1 mA
Compatibilité et accessoires
- Compatible avec les logiciels de conception PCB tels que Target 3001!
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