Description générale
Le MOSFET ON Semiconductor RFP12N10L est un transistor à effet de champ de type canal N, conçu pour des applications nécessitant une puissance élevée. Avec une puissance maximale de 60 W et un courant de référence de 12 A, ce composant est idéal pour des circuits nécessitant un contrôle efficace de la puissance.Spécifications techniques
- Type : MOSFET Canal N
- Boîtier : TO-220AB
- Puissance maximale (P(TOT)) : 60 W
- Courant de référence (I(d)) : 12 A
- R(DS)(on) : 200 mΩ
- Température de fonctionnement (max.) : +150 °C
- Température de fonctionnement (min.) : -55 °C
- Tension de rupture (U(DSS)) : 100 V
- Tension de référence (C(ISS)) : 25 V
- Tension de référence R(DS)(on) : 10 V
- Courant de référence max. : 250 µA
- Tension de seuil (U(GS)(th)) : 2 V
Compatibilité et accessoires
- Compatible avec les logiciels de conception PCB tels que Target 3001!


















