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ON Semiconductor RFP12N10L MOSFET 1 Canal N 60 W TO-220AB Q39852

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Informations produit

Description

Description générale

Le MOSFET ON Semiconductor RFP12N10L est un transistor à effet de champ de type canal N, conçu pour des applications nécessitant une puissance élevée. Avec une puissance maximale de 60 W et un courant de référence de 12 A, ce composant est idéal pour des circuits nécessitant un contrôle efficace de la puissance.

Spécifications techniques

  • Type : MOSFET Canal N
  • Boîtier : TO-220AB
  • Puissance maximale (P(TOT)) : 60 W
  • Courant de référence (I(d)) : 12 A
  • R(DS)(on) : 200 mΩ
  • Température de fonctionnement (max.) : +150 °C
  • Température de fonctionnement (min.) : -55 °C
  • Tension de rupture (U(DSS)) : 100 V
  • Tension de référence (C(ISS)) : 25 V
  • Tension de référence R(DS)(on) : 10 V
  • Courant de référence max. : 250 µA
  • Tension de seuil (U(GS)(th)) : 2 V

Compatibilité et accessoires

  • Compatible avec les logiciels de conception PCB tels que Target 3001!

Caractéristiques

  • Marque
    ON SEMICONDUCTOR
  • Hauteur
    5 mm
  • Intensité courant
    12 A
  • Largeur
    10 mm
  • Matières
    Plastique
  • Mode de pose électricité
    Avec vis
  • Puissance
    60 W
  • Réseau électrique
    Monophasé
  • Type de bobine
    Classique
  • Type de contact
    Normalement ouvert
  • Réf. ManoMano
    ME46595356
  • MMID
    324315471636
  • Réf. fabricant
    RFP12N10L 2050000014703
  • EAN
    2050000014703

Questions fréquentes

La température maximale de fonctionnement de ce dispositif est de +150 °C.

Le courant de référence maximal que ce composant peut supporter est de 12 A.

La tension de rupture de ce dispositif est de 100 V.

Réponses générées par IA à partir des informations vendeur
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Livraison et retours gratuits pendant 100 jours avec ManoExpress. ,[object Object]

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