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Infineon Technologies IRF1018EPBF MOSFET 1 Canal N 110 W TO-220AB Q87630

Vendu par The Retailer Network

Informations produit

Description

Description générale

Le MOSFET Infineon Technologies IRF1018EPBF est un transistor à effet de champ de type canal N, conçu pour des applications nécessitant une puissance élevée. Avec une puissance maximale de 110 W et un courant drain-source de 79 A, ce composant est idéal pour des circuits de commutation efficaces.

Spécifications techniques

  • Type de boîtier : TO-220AB
  • Capacité d'entrée (C(ISS)) : 2290 pF
  • Tension de référence (U(GS)(th)) : 4 V
  • Tension de rupture (U(DSS)) : 60 V
  • Résistance à l'état passant (R(DS)(on)) : 8.4 mΩ
  • Température de fonctionnement (max.) : +175 °C
  • Température de fonctionnement (min.) : -55 °C
  • Charge de porte (Q(G)) : 69 nC
  • Tension de référence pour Q(G) : 10 V
  • Courant de référence (I(d)) : 79 A
  • Courant de référence max. : 100 µA

    • Autres informations

  • Conditionnement : 1 pc(s)
  • Fabricant : Infineon Technologies
  • Série : HEXFET®
  • Type de montage : trou traversant

    • Caractéristiques

    • Marque
      INFINEON TECHNOLOGIES
    • Intensité courant
      79 A
    • Matières
      Plastique
    • Mode de pose électricité
      Avec vis
    • Puissance
      110 W
    • Réseau électrique
      Monophasé
    • Tension électrique
      10 V
    • Type de bobine
      Classique
    • Type de contact
      Normalement ouvert
    • Réf. ManoMano
      ME46448039
    • MMID
      203636636407
    • Réf. fabricant
      IRF1018EPBF
    • EAN
      2050001539861

    Questions fréquentes

    La température de fonctionnement maximale de ce dispositif est de +175 °C, tandis que la température minimale est de -55 °C.

    Ce composant peut supporter un courant drain-source maximal de 79 A.

    La résistance à l'état passant de ce dispositif est de 8.4 mΩ.

    Réponses générées par IA à partir des informations vendeur
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