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Informations produit
Description
Informations techniques
Abréviation du fabricant (composants) : OnS
C(ISS) : 3790 pF
Caractéristique du transistor : Standard
I(d) : 75 A
Nombre de canaux : 1
Puissance (max) P(TOT) : 310 W
Q(G) : 238 nC
Q(G) Tension de référence : 20 V
R(DS)(on) : 14 mΩ
R(DS)(on) Courant de référence : 75 A
Série (semiconducteur) : UltraFET™
Température de fonctionnement (max.) : +175 °C
Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C
Tension de rupture U(BR) (DSS) : 100 V
Tension de référence C(ISS) : 25 V
Tension de référence R(DS)(on) : 10 V
Type (transistors) : Canal N
Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-220-3
Type de montage : trou traversant
U(DSS) : 100 V
U(GS)(th) Courant de référence max. : 250 µA
U(GS)(th) max. : 4 V
Configuration requise
- null
- null
Caractéristiques
- MarqueON SEMICONDUCTOR
- Puissance310 W
- Tension électrique100 V
- Intensité courant75 A
- MatièresPlastique
Impact environnemental
- OrigineFabriqué en Chine
- Certification environnementaleFSC
Questions fréquentes
Ce dispositif peut fonctionner dans une plage de température allant de -55 °C à +175 °C, ce qui le rend adapté à des environnements exigeants.
La résistance à l'état passant est de 14 mΩ, mesurée à une tension de référence de 10 V.
Oui, ce composant est conçu pour des applications nécessitant une puissance élevée, avec une puissance maximale de 310 W et un courant de drain de 75 A.
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