Description générale
Le MOSFET ON Semiconductor HUF75645P3 est un transistor à effet de champ de type canal N, conçu pour des applications nécessitant une puissance élevée. Avec une puissance maximale de 310 W et un courant de drain de 75 A, il est idéal pour des usages variés dans le domaine de l'électronique.Spécifications techniques
- Type : Canal N
- Type de boîtier : TO-220-3
- Puissance maximale (P(TOT)) : 310 W
- Courant de drain (I(d)) : 75 A
- Capacité d'entrée (C(ISS)) : 3790 pF
- Résistance à l'état passant (R(DS)(on)) : 14 mΩ
- Tension de rupture (U(BR)(DSS)) : 100 V
- Tension de seuil (U(GS)(th)) : 4 V
- Température de fonctionnement : -55 °C à +175 °C
- Charge de porte (Q(G)) : 238 nC
- Tension de référence Q(G) : 20 V
- Tension de référence C(ISS) : 25 V
- Tension de référence R(DS)(on) : 10 V
- Courant de référence max. : 250 µA
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