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ON Semiconductor FQPF6N80C MOSFET 1 Canal N 51 W TO-220-3 A815391

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Informations produit

Description

Description générale

Le MOSFET ON Semiconductor FQPF6N80C est un transistor à effet de champ de type canal N, conçu pour des applications nécessitant une puissance élevée. Avec une puissance maximale de 51 W et une capacité de courant de 5.5 A, ce composant est idéal pour des circuits électroniques variés.

Spécifications techniques

  • C(ISS) : 1310 pF
  • I(d) : 5.5 A
  • Puissance (max) P(TOT) : 51 W
  • Q(G) : 30 nC
  • R(DS)(on) : 2.5 Ω
  • Température de fonctionnement (max.) : +150 °C
  • Température de fonctionnement (min.) : -55 °C
  • Tension de référence C(ISS) : 25 V
  • U(DSS) : 800 V
  • U(GS)(th) max. : 5 V
  • Courant de référence max. : 250 µA
  • Type de boîtier : TO-220-3
  • Compatibilité et accessoires

  • Type de montage : trou traversant
  • Type de FET : Canal N
  • Caractéristiques

    • Marque
      ON SEMICONDUCTOR
    • Intensité courant
      5.5 A
    • Mode de pose électricité
      Avec vis
    • Puissance
      51 W
    • Réseau électrique
      Monophasé
    • Tension électrique
      10 V
    • Type de contact
      Normalement ouvert
    • Réf. ManoMano
      ME5979686
    • MMID
      693285811973
    • Réf. fabricant
      FQPF6N80C
    • EAN
      2050002649453

    Impact environnemental

    • Origine
      Fabriqué en Chine

    Questions fréquentes

    Ce composant peut fonctionner dans une plage de températures allant de -55 °C à +150 °C, ce qui le rend adapté à des environnements variés, y compris ceux soumis à des conditions extrêmes.

    Oui, ce composant est conçu pour supporter une tension maximale de 800 V, ce qui le rend approprié pour des applications nécessitant une tension élevée.

    Ce composant est conçu pour un montage par trou traversant, ce qui nécessite de le souder directement sur un circuit imprimé.

    Réponses générées par IA à partir des informations vendeur
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    Le spécialiste français du bricolage, maison, jardin

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