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ON Semiconductor FQPF6N80C MOSFET 1 Canal N 51 W TO-220-3 A815391

Name: ON Semiconductor FQPF6N80C MOSFET 1 Canal N 51 W TO-220-3 A815391
Brand: ON SEMICONDUCTOR
SKU: FQPF6N80C
Price: 13.34 EUR
Availability: InStock

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Informations produit

Description

Description générale

Le MOSFET ON Semiconductor FQPF6N80C est un transistor à effet de champ de type canal N, conçu pour des applications nécessitant une puissance élevée. Avec une puissance maximale de 51 W et une capacité de courant de 5.5 A, ce composant est idéal pour des circuits électroniques variés.

Spécifications techniques

C(ISS) : 1310 pF

I(d) : 5.5 A

Puissance (max) P(TOT) : 51 W

Q(G) : 30 nC

R(DS)(on) : 2.5 Ω

Température de fonctionnement (max.) : +150 °C

Température de fonctionnement (min.) : -55 °C

Tension de référence C(ISS) : 25 V

U(DSS) : 800 V

U(GS)(th) max. : 5 V

Courant de référence max. : 250 µA

Type de boîtier : TO-220-3

Compatibilité et accessoires

Type de montage : trou traversant

Type de FET : Canal N

Caractéristiques

Marque
ON SEMICONDUCTOR
Puissance
51 W
Tension électrique
10 V
Intensité courant
5.5 A
Matières
Plastique

Impact environnemental

Origine
Fabriqué en Chine
Certification environnementale
FSC

Questions fréquentes

Ce composant peut fonctionner dans une plage de températures allant de -55 °C à +150 °C, ce qui le rend adapté à des environnements variés, y compris ceux soumis à des conditions extrêmes.

Oui, ce composant est conçu pour supporter une tension maximale de 800 V, ce qui le rend approprié pour des applications nécessitant une tension élevée.

Ce composant est conçu pour un montage par trou traversant, ce qui nécessite de le souder directement sur un circuit imprimé.

Réponses générées par IA à partir des informations vendeur

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