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Description générale
Le MOSFET ON Semiconductor FQP17P06 est un transistor à effet de champ de type canal P, conçu pour des applications nécessitant une puissance élevée. Avec une puissance maximale de 79 W et un courant de drain de 17 A, il est idéal pour des circuits de commutation et d'amplification. Ce composant est encapsulé dans un boîtier TO-220-3, facilitant son intégration dans divers projets électroniques.Spécifications techniques
- C(ISS) : 900 pF
- I(d) : 17 A
- P(TOT) : 79 W
- Q(G) : 27 nC
- R(DS)(on) : 120 mΩ
- Température de fonctionnement (max.) : +175 °C
- Température de fonctionnement (min.) : -55 °C
- U(DSS) : 60 V
- U(GS)(th) : 4 V
- Tension de référence C(ISS) : 25 V
- Tension de référence R(DS)(on) : 10 V
- Courant de référence max. : 250 µA
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