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Informations produit
Description
Informations techniques
Abréviation du fabricant (composants) : OnS
C(ISS) : 3320 pF
Caractéristique du transistor : Standard
I(d) : 36 A
Nombre de canaux : 1
Puissance (max) P(TOT) : 294 W
Q(G) : 105 nC
Q(G) Tension de référence : 10 V
R(DS)(on) : 90 mΩ
R(DS)(on) Courant de référence : 18 A
Série (semiconducteur) : QFET®
Température de fonctionnement (max.) : +175 °C
Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C
Tension de rupture U(BR) (DSS) : 150 V
Tension de référence C(ISS) : 25 V
Tension de référence R(DS)(on) : 10 V
Type (transistors) : Canal P
Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-3P-3
Type de montage : trou traversant
U(DSS) : 150 V
U(GS)(th) Courant de référence max. : 250 µA
U(GS)(th) max. : 4 V
Caractéristiques
- MarqueON SEMICONDUCTOR
- Puissance294 W
- Tension électrique10 V
- Intensité courant36 A
- MatièresPlastique
Impact environnemental
- OrigineFabriqué en Chine
- Certification environnementaleQualitel
Questions fréquentes
Ce composant peut fonctionner dans une plage de températures allant de -55 °C à +175 °C, ce qui le rend adapté à des environnements exigeants.
Oui, ce composant est conçu pour des applications nécessitant une puissance élevée, avec une capacité maximale de 294 W et un courant jusqu'à 36 A.
Lors de l'installation, il est important de respecter les spécifications de tension et de courant, et de s'assurer d'un montage traversant correct sur le circuit imprimé.
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