ON Semiconductor FQA36P15 MOSFET 1 Canal P 294 W TO-3P-3

Informations techniques

Abréviation du fabricant (composants) : OnS
C(ISS) : 3320 pF
Caractéristique du transistor : Standard
I(d) : 36 A
Nombre de canaux : 1
Puissance (max) P(TOT) : 294 W
Q(G) : 105 nC
Q(G) Tension de référence : 10 V
R(DS)(on) : 90 mΩ
R(DS)(on) Courant de référence : 18 A
Série (semiconducteur) : QFET®
Température de fonctionnement (max.) : +175 °C
Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C
Tension de rupture U(BR) (DSS) : 150 V
Tension de référence C(ISS) : 25 V
Tension de référence R(DS)(on) : 10 V
Type (transistors) : Canal P
Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-3P-3
Type de montage : trou traversant
U(DSS) : 150 V
U(GS)(th) Courant de référence max. : 250 µA
U(GS)(th) max. : 4 V