IXYS IXTH6N100D2 MOSFET 1 Canal N 300 W TO-247AD Q87699
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Informations produit
Description
Informations techniques
Abréviation du fabricant (composants) : IXY
C(ISS) : 2650 pF
Caractéristique du transistor : Mode de déplétion
I(d) : 6 A
Nombre de canaux : 1
Puissance (max) P(TOT) : 300 W
Q(G) : 95 nC
Q(G) Tension de référence : 5 V
R(DS)(on) : 2.2 Ω
R(DS)(on) Courant de référence : 3 A
Température de fonctionnement (max.) : +150 °C
Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C
Tension de rupture U(BR) (DSS) : 1000 V
Tension de référence C(ISS) : 25 V
Tension de référence R(DS)(on) : 0 V
Type (transistors) : Canal N
Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-247AD
Type de montage : trou traversant
U(DSS) : 1000 V
Configuration requise
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- null
Caractéristiques
- MarqueIXYS
- Longueur4.1 cm
- Puissance300 W
- Tension électrique5 V
- Intensité courant6 A
Impact environnemental
- Certification environnementaleQualitel
Questions fréquentes
Ce composant peut fonctionner dans une plage de température allant de -55 °C à +150 °C, ce qui le rend adapté à des environnements variés et exigeants.
Ce dispositif peut gérer une puissance maximale de 300 W, ce qui le rend approprié pour des applications nécessitant une gestion énergétique élevée.
Ce composant est conçu pour un montage par trou traversant, ce qui nécessite de le fixer à l'aide de vis ou d'autres méthodes adaptées à ce type de pose.
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