IXYS IXFP7N100P MOSFET 1 Canal N 300 W TO-220AB Q87407
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Informations produit
Description
Informations techniques
Abréviation du fabricant (composants) : IXY
C(ISS) : 2590 pF
Caractéristique du transistor : Standard
I(d) : 7 A
Nombre de canaux : 1
Puissance (max) P(TOT) : 300 W
Q(G) : 47 nC
Q(G) Tension de référence : 10 V
R(DS)(on) : 1.9 Ω
R(DS)(on) Courant de référence : 3.5 A
Série (semiconducteur) : HiPerFET™, PolarP2™
Température de fonctionnement (max.) : +150 °C
Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C
Tension de rupture U(BR) (DSS) : 1000 V
Tension de référence C(ISS) : 25 V
Tension de référence R(DS)(on) : 10 V
Type (transistors) : Canal N
Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-220AB
Type de montage : trou traversant
U(DSS) : 1000 V
U(GS)(th) Courant de référence max. : 1 mA
U(GS)(th) max. : 6 V
Configuration requise
- null
- null
Caractéristiques
- MarqueIXYS
- Intensité courant7 A
- Quantité par pack1
- Fonction du disjoncteurUnipolaire
- Hauteur5 mm
- Largeur10 mm
- Mode de pose électricitéAvec vis
- Type de disjoncteurCoupe circuit
- Réf. ManoManoME5997906
- MMID328214319592
- Réf. fabricantIXFP7N100P
- EAN2050001395399
Questions fréquentes
Ce composant peut fonctionner dans une plage de températures allant de -55 °C à +150 °C, ce qui le rend adapté à des environnements exigeants.
Ce dispositif est conçu pour un montage en trou traversant, ce qui facilite son installation sur des circuits imprimés.
Ce composant peut supporter une tension de rupture maximale de 1000 V, ce qui le rend adapté aux applications nécessitant une haute tension.