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Description générale
Le MOSFET Infineon Technologies IRLB3034PBF est un transistor à effet de champ de type canal N, conçu pour des applications nécessitant une puissance élevée. Avec une puissance maximale de 375 W et un courant de drain de 195 A, ce composant est idéal pour des circuits de commutation efficaces.Spécifications techniques
- Type de boîtier : TO-220AB
- Capacité d'entrée (C(ISS)) : 10315 pF
- Tension de référence (C(ISS)) : 25 V
- Tension de rupture (U(DSS)) : 40 V
- Tension de seuil (U(GS)(th)) : 2.5 V
- Courant de référence max. : 250 µA
- Résistance à l'état passant (R(DS)(on)) : 1.7 mΩ
- Température de fonctionnement (max.) : +175 °C
- Température de fonctionnement (min.) : -55 °C
- Charge de porte (Q(G)) : 162 nC
- Tension de référence pour Q(G) : 4.5 V
Compatibilité et accessoires
- Type de montage : trou traversant
- Fonction FET : Porte de niveau logique
- Série : HEXFET®
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