Description générale
Le MOSFET Infineon Technologies IRFP7430PBF est un transistor à effet de champ de type canal N, conçu pour des applications nécessitant une puissance élevée. Avec une puissance maximale de 366 W et un courant de drain de 195 A, il est idéal pour des usages variés dans le domaine de l'électronique.Spécifications techniques
- Type de boîtier : TO-247
- Puissance maximale (P(TOT)) : 366 W
- Courant de drain (I(d)) : 195 A
- Capacité d'entrée (C(ISS)) : 14240 pF
- Tension de rupture (U(DSS)) : 40 V
- Tension de seuil (U(GS)(th)) : 3.9 V
- Résistance à l'état passant (R(DS)(on)) : 1.3 mΩ à 100 A
- Charge de grille (Q(G)) : 460 nC
- Température de fonctionnement (max.) : +175 °C
- Température de fonctionnement (min.) : -55 °C
Compatibilité et accessoires
- Type de montage : trou traversant
- Série : HEXFET®, StrongIRFET™


















