Infineon Technologies IRFP3703PBF MOSFET 1 Canal N 3.8 W TO-247 Q85835

Informations techniques

Abréviation du fabricant (composants) : INF
C(ISS) : 8250 pF
Caractéristique du transistor : Standard
I(d) : 210 A
Nombre de canaux : 1
Puissance (max) P(TOT) : 3.8 W
Q(G) : 209 nC
Q(G) Tension de référence : 10 V
R(DS)(on) : 2.8 mΩ
R(DS)(on) Courant de référence : 76 A
Série (semiconducteur) : HEXFET®
Température de fonctionnement (max.) : +175 °C
Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C
Tension de rupture U(BR) (DSS) : 30 V
Tension de référence C(ISS) : 25 V
Tension de référence R(DS)(on) : 10 V
Type (transistors) : Canal N
Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-247
Type de montage : trou traversant
U(DSS) : 30 V
U(GS)(th) Courant de référence max. : 250 µA
U(GS)(th) max. : 4 V

• • • Configuration requise

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