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Informations produit
Description
Informations techniques
Abréviation du fabricant (composants) : INF
C(ISS) : 8250 pF
Caractéristique du transistor : Standard
I(d) : 210 A
Nombre de canaux : 1
Puissance (max) P(TOT) : 3.8 W
Q(G) : 209 nC
Q(G) Tension de référence : 10 V
R(DS)(on) : 2.8 mΩ
R(DS)(on) Courant de référence : 76 A
Série (semiconducteur) : HEXFET®
Température de fonctionnement (max.) : +175 °C
Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C
Tension de rupture U(BR) (DSS) : 30 V
Tension de référence C(ISS) : 25 V
Tension de référence R(DS)(on) : 10 V
Type (transistors) : Canal N
Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-247
Type de montage : trou traversant
U(DSS) : 30 V
U(GS)(th) Courant de référence max. : 250 µA
U(GS)(th) max. : 4 V
Configuration requise
- null
- null
Caractéristiques
- MarqueINFINEON TECHNOLOGIES
- Intensité courant210 A
- Quantité par pack1
- Fonction du disjoncteurMoteur
- MatièresPlastique
- Mode de pose électricitéAvec vis
- Réseau électriqueMonophasé
- Réf. ManoManoME5998390
- MMID259848035354
- Réf. fabricantIRFP3703PBF
- EAN2050000042980
Questions fréquentes
Ce composant peut fonctionner dans une plage de températures allant de -55 °C à +175 °C, ce qui le rend adapté à des environnements exigeants.
Oui, ce composant peut supporter un courant drain-source maximal de 210 A, ce qui le rend idéal pour des applications nécessitant un courant élevé.
Ce composant est conçu pour un montage par trou traversant, ce qui facilite son intégration dans des circuits imprimés.
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