Infineon Technologies IRFB4229PBF MOSFET 1 Canal N 330 W TO-220AB Q87015

Name: Infineon Technologies IRFB4229PBF MOSFET 1 Canal N 330 W TO-220AB Q87015
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: IRFB4229PBF
Price: 34.43 EUR
Availability: InStock

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Informations produit

Description

Description générale

Le MOSFET Infineon Technologies IRFB4229PBF est un transistor à effet de champ de type canal N, conçu pour des applications nécessitant une puissance élevée. Avec une puissance maximale de 330 W et un courant de drain de 46 A, ce composant est idéal pour des circuits de commutation efficaces.

Spécifications techniques

Type : MOSFET Canal N

Puissance maximale (P(TOT)) : 330 W

Courant de drain (I(d)) : 46 A

Tension de rupture (U(DSS)) : 250 V

Résistance à l'état passant (R(DS)(on)) : 46 mΩ

Capacité d'entrée (C(ISS)) : 4560 pF

Charge de porte (Q(G)) : 110 nC

Température de fonctionnement (min.) : -40 °C

Température de fonctionnement (max.) : +175 °C

Tension de seuil de grille (U(GS)(th) max.) : 5 V

Tension de référence pour C(ISS) : 25 V

Tension de référence pour R(DS)(on) : 10 V

Courant de référence max. : 250 µA

Type de boîtier : TO-220AB

Compatibilité et accessoires

Type de montage : trou traversant

Caractéristiques

Marque
INFINEON TECHNOLOGIES
Garantie
2 an(s)
Couleur
Noir
Intensité courant
46 A
Intensité nominale
DC

Impact environnemental

Certification environnementale
Qualitel

Questions fréquentes

Ce composant peut fonctionner dans une plage de températures allant de -40 °C à +175 °C, ce qui le rend adapté à des environnements variés et exigeants.

La résistance à l'état passant de ce dispositif est de 46 mΩ, mesurée à une tension de référence de 10 V.

Ce composant est conçu pour un montage par trou traversant, ce qui le rend compatible avec des circuits imprimés nécessitant ce type de pose.

Réponses générées par IA à partir des informations vendeur

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