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Infineon Technologies IRFB3006PBF MOSFET 1 Canal N 375 W TO-220AB S81752

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Informations produit

Description

Description générale

Le MOSFET Infineon Technologies IRFB3006PBF est un transistor à effet de champ de type canal N, conçu pour des applications nécessitant une puissance élevée. Avec une puissance maximale de 375 W et un courant de drain de 195 A, ce composant est idéal pour des circuits de commutation efficaces.

Spécifications techniques

  • Type : MOSFET Canal N
  • Puissance maximale (P(TOT)) : 375 W
  • Courant de drain (I(d)) : 195 A
  • Tension de rupture (U(DSS)) : 60 V
  • Température de fonctionnement (max.) : +175 °C
  • Température de fonctionnement (min.) : -55 °C
  • Capacité d'entrée (C(ISS)) : 8970 pF
  • Résistance à l'état passant (R(DS)(on)) : 2.5 mΩ
  • Charge de porte (Q(G)) : 300 nC
  • Tension de référence (U(GS)(th)) : 4 V
  • Courant de référence max. : 250 µA
  • Type de boîtier : TO-220AB
  • Compatibilité et accessoires

  • Type de montage : trou traversant
  • Autres informations

  • Fabricant : Infineon Technologies
  • Série : HEXFET®
  • Conditionnement : 1 pc(s)
  • Caractéristiques

    • Marque
      INFINEON TECHNOLOGIES
    • Longueur
      2.9 cm
    • Puissance
      375 W
    • Tension électrique
      10 V
    • Intensité courant
      195 A

    Questions fréquentes

    Ce composant peut fonctionner dans une plage de températures allant de -55 °C à +175 °C, ce qui le rend adapté à des environnements variés et exigeants.

    La résistance à l'état passant de ce dispositif est de 2,5 mΩ, ce qui garantit une faible perte d'énergie lors de son utilisation.

    Oui, ce composant est conçu pour un montage en trou traversant, ce qui facilite son intégration dans des circuits imprimés.

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    Le spécialiste français du bricolage, maison, jardin

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