Description générale
Le MOSFET Infineon Technologies IRFB23N15DPBF est un transistor à effet de champ de type canal N, conçu pour des applications nécessitant une gestion efficace de l'énergie. Avec une puissance maximale de 3.8 W et un courant de drain de 23 A, ce composant est idéal pour des circuits électroniques variés.Spécifications techniques
- C(ISS) : 1200 pF
- I(d) : 23 A
- P(TOT) : 3.8 W
- Q(G) : 56 nC
- R(DS)(on) : 90 mΩ
- Température de fonctionnement (max.) : +175 °C
- Température de fonctionnement (min.) : -55 °C
- U(DSS) : 150 V
- U(GS)(th) : 5.5 V
- Tension de référence C(ISS) : 25 V
- Tension de référence R(DS)(on) : 10 V
- Courant de référence max. : 250 µA
Compatibilité et accessoires
- Type de boîtier : TO-220
- Type de montage : trou traversant
- Disponible en logiciel PCB : Target 3001!
Autres informations
- Fabricant : Infineon Technologies
- Série : HEXFET®
- Type : IRFB23N15DPBF
- Sigle du fabricant : INF


















