Littelfuse Diode ESD MDD172-12N1 Y4-M6 1200 V Bulk

Type de boîtier : Y4-M6
Tension maximum de blocage répétitive (V) : 1200 V.
Température du boîtier : 100 °C.
Température maximum de la jonction virtuelle : 150 °C.
Résistance thermique [boîtier de raccordement] (K/W) : 0,21 K/W
Courant continu moyen : 190 A.
Résistance de pente pour calcul de Power loss : 0,8 mΩ
Résistance thermique caseheatsink kW: 0.08 K/W
Tension de seuil pour calcul de puissance Power loss : 0.8 V
Courant de récupération inverse max. : 6600 A

Informations techniques

Données techniques complémentaires : Type de boîtier : Y4-M6 Tension maximum de blocage répétitive (V) : 1200 V. Température du boîtier : 100 °C. Température maximum de la jonction virtuelle : 150 °C. Résistance thermique [boîtier de raccordement] (K/W) : 0,21 K/W Courant continu moyen : 190 A. Résistance de pente pour calcul de Power loss : 0,8 mΩ Résistance thermique caseheatsink kW: 0.08 K/W Tension de seuil pour calcul de puissance Power loss : 0.8 V Courant de récupération inverse max. : 6600 A
Température de fonctionnement (max.) : 150 °C
Tension de blocage U(R) : 1200 V
Type d'emballage (composants) : Bulk
Type de boîtier (semi-conducteur) : Y4-M6

Points forts

• Littelfuse MDD172-12N1
• Type de boîtier (semi-conducteur): Y4-M6
• Contenu: 1 pc(s)