Littelfuse Diode ESD MDD172-12N1 Y4-M6 1200 V Bulk
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Informations produit
Description
Type de boîtier : Y4-M6
Tension maximum de blocage répétitive (V) : 1200 V.
Température du boîtier : 100 °C.
Température maximum de la jonction virtuelle : 150 °C.
Résistance thermique [boîtier de raccordement] (K/W) : 0,21 K/W
Courant continu moyen : 190 A.
Résistance de pente pour calcul de Power loss : 0,8 mΩ
Résistance thermique caseheatsink kW: 0.08 K/W
Tension de seuil pour calcul de puissance Power loss : 0.8 V
Courant de récupération inverse max. : 6600 A
Informations techniques
Données techniques complémentaires : Type de boîtier : Y4-M6 Tension maximum de blocage répétitive (V) : 1200 V. Température du boîtier : 100 °C. Température maximum de la jonction virtuelle : 150 °C. Résistance thermique [boîtier de raccordement] (K/W) : 0,21 K/W Courant continu moyen : 190 A. Résistance de pente pour calcul de Power loss : 0,8 mΩ Résistance thermique caseheatsink kW: 0.08 K/W Tension de seuil pour calcul de puissance Power loss : 0.8 V Courant de récupération inverse max. : 6600 A
Température de fonctionnement (max.) : 150 °C
Tension de blocage U(R) : 1200 V
Type d'emballage (composants) : Bulk
Type de boîtier (semi-conducteur) : Y4-M6
Points forts
- Littelfuse MDD172-12N1
- Type de boîtier (semi-conducteur): Y4-M6
- Contenu: 1 pc(s)
Caractéristiques
- MarqueLITTELFUSE
- Intensité courant190 A
- MatièresPlastique
- CouleurNoir
- Quantité par pack1
Questions fréquentes
La température maximale de fonctionnement de ce dispositif est de 150 °C.
Ce dispositif peut supporter un courant continu moyen de 190 A.
La résistance thermique du boîtier de raccordement est de 0,21 K/W.


















