'/%3E%3C/svg%3E)
Description générale
Le MOSFET Infineon Technologies IRFB4410ZPBF est un transistor à effet de champ de type canal N, conçu pour des applications nécessitant une puissance élevée. Avec une puissance maximale de 230 W et un courant de drain de 97 A, il est idéal pour des circuits de commutation efficaces.Spécifications techniques
- Type de boîtier : TO-220AB
- Capacité d'entrée (C(ISS)) : 4820 pF
- Tension de référence (C(ISS)) : 50 V
- Courant de référence (I(d)) : 97 A
- Puissance maximale (P(TOT)) : 230 W
- Charge de porte (Q(G)) : 120 nC
- Tension de référence (Q(G)) : 10 V
- Résistance à l'état passant (R(DS)(on)) : 9 mΩ
- Courant de référence pour R(DS)(on) : 58 A
- Tension de référence pour R(DS)(on) : 10 V
- Tension de rupture (U(DSS)) : 100 V
- Tension de seuil (U(GS)(th)) : 4 V
- Température de fonctionnement (max.) : +175 °C
- Température de fonctionnement (min.) : -55 °C
- Courant de référence max. : 150 µA
Compatibilité et accessoires
- Type de montage : trou traversant
- Série : HEXFET®
'/%3E%3C/svg%3E){kind=small}