Description générale
Le transistor IGBT Infineon Technologies IKW20N60TFKSA1 est un composant électronique de haute performance, conçu pour des applications nécessitant une gestion efficace de l'énergie. Ce transistor est encapsulé dans un boîtier TO-247 et est livré en tube. Il est idéal pour des usages variés dans le domaine de l'électronique et de la technologie.Spécifications techniques
- Courant du collecteur (IC) : 41 A
- Puissance maximale (P(TOT)) : 166 W
- Tension de blocage émetteur-collecteur (U(CES)) : 600 V
- Temps de retard au démarrage (t(d) on) : 18 ns
- Temps de retard de mise à l'arrêt (t(d) off) : 223 ns
- Tension de seuil de l'émetteur de porte (UGE(th)) : 4,9 V
- Courant de collecteur pulsé (ICpuls) : 60 A
- Type de boîtier : TO-247
- Type de montage : trou traversant
Autres informations
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