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Informations produit
Description
LES SPÉCIFICATIONS TECHNIQUES :
- Transistor MOSFET
- TO-220-3 logement
- Nombre de chaînes 1
- Transistor à canal N
- Tension disruptive entre le drain et la source 600V
- Courant de drainage continu 4A
- Tension entre la porte et la source 30V
- Température de fonctionnement - 55 C..150ºC
- Puissance 100W
Caractéristiques
- MarqueON SEMICONDUCTOR
- Certification NFNF220
- Garantie3 an(s)
- CouleurNoir
- Hauteur100 mm
Questions fréquentes
La température maximale de fonctionnement de cet équipement est de 150ºC.
Ce transistor supporte un courant de drainage continu de 4A.
La tension disruptive entre le drain et la source est de 600V.
Réponses générées par IA à partir des informations vendeur
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