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Transistor N-MOSFET 100V TO220 – Courant de drain 9.7A – Résistance 0,2Ω – Charge de grille 16.7nC – Infineon Technologies

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79,00 €
202
Vendu par Electropolis

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Informations produit

Description

Description générale

Le transistor IRF520NPBF est un N-MOSFET de haute performance fabriqué par Infineon Technologies. Conçu pour des applications nécessitant une gestion efficace de l'énergie, il offre une tension drain-source maximale de 100V et un courant de drain pouvant atteindre 9.7A. Avec un boîtier TO220AB, ce transistor est idéal pour des circuits de puissance.

Spécifications techniques

  • Tension drain-source : 100V
  • Courant de drain : 9.7A
  • Puissance dissipée : 48W
  • Tension de source de la grille : ±20V
  • Résistance en état de transfert : 0,2Ω
  • Charge de grille : 16.7nC
  • Caractéristiques

    • Marque
      INFINEON TECHNOLOGIES
    • Garantie
      3 an(s)
    • Couleur
      Multicouleur
    • Hauteur
      100 mm
    • Intensité courant
      9.7 A
    • Largeur
      100 mm
    • Matières
      Plastique
    • Mode de pose électricité
      Avec vis
    • Poids
      100 g
    • Puissance
      48 W
    • Tension électrique
      100 V
    • Réf. ManoMano
      ME40447426
    • MMID
      240218759690
    • Réf. fabricant
      16529-DI

    Questions fréquentes

    Quelle est la tension drain-source maximale que ce dispositif peut supporter ?

    Ce dispositif peut supporter une tension drain-source maximale de 100V.

    Quel est le courant de drain maximal que ce dispositif peut gérer ?

    Le courant de drain maximal que ce dispositif peut gérer est de 9.7A.

    Quelle est la puissance dissipée maximale par ce dispositif ?

    La puissance dissipée maximale par ce dispositif est de 48W.

    Réponses générées par IA à partir des informations vendeur
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    Le spécialiste français du bricolage, maison, jardin

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    Livraison et retours gratuits pendant 100 jours avec ManoExpress. ,[object Object]

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