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ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret TIP110 TO-220-3 1 NPN - Darlington Q89862

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202
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Informations produit

Description

Description générale

Transistor bipolaire NPN de type Darlington, modèle TIP110, conçu pour des applications électroniques variées. Ce transistor est disponible dans un boîtier TO-220-3 et est reconnu pour sa fiabilité et ses performances élevées.

Spécifications techniques

  • Type : NPN - Darlington
  • Type de boîtier : TO-220-3
  • Courant du collecteur (IC) : 2 A
  • Gain en courant DC (hFE) : min. 1000
  • Puissance maximale (P(TOT)) : 2 W
  • Tension collecteur-émetteur max. : 60 V
  • Tension de saturation VCE (max.) : 2.5 V
  • Courant résiduel collecteur-base (I(CES)) : 2 mA
  • Tension de référence : 4 V

Compatibilité et accessoires

  • Compatible avec les logiciels de conception PCB tels que Target 3001!

Caractéristiques

  • Marque
    ON SEMICONDUCTOR
  • Hauteur
    5 mm
  • Intensité courant
    2 A
  • Largeur
    10 mm
  • Mode de pose électricité
    Avec vis
  • Nombre de contact(s)
    1
  • Puissance
    2 W
  • Réf. ManoMano
    ME16666444
  • MMID
    279099165601
  • Réf. fabricant
    tip1102050000040368
  • EAN
    2050000040368

Impact environnemental

  • Origine
    Fabriqué en Allemagne

Questions fréquentes

Quelle est la puissance maximale que ce dispositif peut supporter ?

Ce dispositif peut supporter une puissance maximale de 2 W, ce qui le rend adapté à des applications nécessitant une faible dissipation thermique.

Ce composant est-il compatible avec des conceptions PCB spécifiques ?

Ce composant est compatible avec des logiciels de conception PCB tels que Target 3001!, facilitant son intégration dans des projets électroniques.

Quelle est la tension maximale entre le collecteur et l'émetteur ?

La tension maximale entre le collecteur et l'émetteur est de 60 V, ce qui permet son utilisation dans des circuits nécessitant une tension modérée.

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