ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MJ11015G TO-3 1 PNP - Darlington
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Informations produit
Description
Informations techniques
Abréviation du fabricant (composants) : OnS
Collecteur courant résiduel I(CES) : -1 mA
Courant du collecteur CI : -30 A
Fréquence de transition f(T) : 4 MHz
Gain en courant DC hFE - Courant de référence : -20 A
Gain à courant DC (hFE) : 1000
Nombre de canaux : 1
Puissance (max) P(TOT) : 200 W
Puissance courant DC hFE - tension de référence : -5 V
Saturation VCE (max.) : -4 V
Tension - Collecteur-émetteur max. : -120 V
Type (transistors) : PNP - Darlington
Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-3
Type de montage : trou traversant
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Points forts
- ON Semiconductor MJ11015G
- Type de boîtier (semi-conducteur): TO-3
- Contenu: 1 pc(s)
Configuration requise
- null
- null
Caractéristiques
- MarqueON SEMICONDUCTOR
- Puissance200 W
- Tension électrique5 V
- Intensité courant30 A
- MatièresPlastique
Questions fréquentes
Ce composant peut supporter une puissance maximale de 200 watts, ce qui le rend adapté aux applications nécessitant une dissipation thermique élevée.
La tension maximale entre le collecteur et l'émetteur est de -120 volts, ce qui permet son utilisation dans des circuits à haute tension.
Oui, ce composant est conçu pour un montage en trou traversant, ce qui facilite son intégration dans des circuits imprimés traditionnels.
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