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Transistor avec diode 600v 80a 195w Igbt To-3p Sgh80n60ufd Sgh80n60ufd

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Informations produit

Description

Catégorie de produit : Transistors IGBT Emballage / Caisse : TO-3P-3 Style de montage : Par le trou Tension collecteur-émetteur VCEO max : 600 V Tension de saturation collecteur-émetteur 2.1 V Tension maximale de l'émetteur de porte : 20 V Courant continu du collecteur à 25 C : 80 A Pd (dissipation de puissance) : 195 W Température minimale de fonctionnement : - 55 C Température maximale de fonctionnement : 150 C Série : SGH80N60UFD Courant continu du collecteur Ic Max : 80 A La hauteur : 18,9 mm Longueur : 15,8 mm Largeur : 5 mm Mark : ON Semiconductor / Fairchild Courant continu du collecteur : 80 A Courant de fuite de l'émetteur de porte : /- 100 nA Type de produit : Transistors IGBT

Caractéristiques

  • Marque
    ON SEMICONDUCTOR
  • Garantie
    3 an(s)
  • Couleur
    Noir
  • Hauteur
    100 mm
  • Intensité courant
    80 A
  • Matières
    Plastique
  • Mode de pose électricité
    Avec vis
  • Poids
    100 g
  • Puissance
    195 W
  • Tension électrique
    5 V
  • Réf. ManoMano
    ME40445146
  • MMID
    900733690308
  • Réf. fabricant
    20892-DI

Questions fréquentes

Quelle est la tension maximale que cet équipement peut supporter entre le collecteur et l'émetteur ?

Cet équipement peut supporter une tension maximale de 600 V entre le collecteur et l'émetteur.

Quel est le courant continu maximal que cet appareil peut gérer à une température de 25 °C ?

À une température de 25 °C, cet appareil peut gérer un courant continu maximal de 80 A.

Quelles sont les températures minimales et maximales de fonctionnement de cet équipement ?

La température minimale de fonctionnement est de -55 °C et la température maximale est de 150 °C.

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Livraison et retours gratuits pendant 100 jours avec ManoExpress. ,[object Object]

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Plus de 7 millions de clients pros et particuliers

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