Transistor avec diode 600v 80a 195w Igbt To-3p Sgh80n60ufd Sgh80n60ufd
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Informations produit
Description
Catégorie de produit :
Transistors IGBT
Emballage / Caisse :
TO-3P-3
Style de montage :
Par le trou
Tension collecteur-émetteur VCEO max :
600 V
Tension de saturation collecteur-émetteur
2.1 V
Tension maximale de l'émetteur de porte :
20 V
Courant continu du collecteur à 25 C :
80 A
Pd (dissipation de puissance) :
195 W
Température minimale de fonctionnement :
- 55 C
Température maximale de fonctionnement :
150 C
Série :
SGH80N60UFD
Courant continu du collecteur Ic Max :
80 A
La hauteur :
18,9 mm
Longueur :
15,8 mm
Largeur :
5 mm
Mark :
ON Semiconductor / Fairchild
Courant continu du collecteur :
80 A
Courant de fuite de l'émetteur de porte :
/- 100 nA
Type de produit :
Transistors IGBT
Caractéristiques
- MarqueON SEMICONDUCTOR
- Garantie3 an(s)
- CouleurNoir
- Hauteur100 mm
- Intensité courant80 A
- MatièresPlastique
- Mode de pose électricitéAvec vis
- Poids100 g
- Puissance195 W
- Tension électrique5 V
- Réf. ManoManoME40445146
- MMID900733690308
- Réf. fabricant20892-DI
Questions fréquentes
Quelle est la tension maximale que cet équipement peut supporter entre le collecteur et l'émetteur ?
Cet équipement peut supporter une tension maximale de 600 V entre le collecteur et l'émetteur.
Quel est le courant continu maximal que cet appareil peut gérer à une température de 25 °C ?
À une température de 25 °C, cet appareil peut gérer un courant continu maximal de 80 A.
Quelles sont les températures minimales et maximales de fonctionnement de cet équipement ?
La température minimale de fonctionnement est de -55 °C et la température maximale est de 150 °C.
Réponses générées par IA à partir des informations vendeur
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