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Informations produit
Description
SPÉCIFICATIONS : Type de transistor : PNP Bipolaire (BJT) Tension collecteur-émetteur : 140V Courant de collecteur : 10Amp Puissance : 100W Saturation Vce : 500mV à 500mA Courant de coupure du collecteur : 10μA Température de fonctionnement : 150ºC Logement : TO3P
Caractéristiques
- MarqueSANS MARQUE
- CouleurMulticouleur
- Réf. ManoManoME232046448
- MMID363179923445
- Réf. fabricantR-93-2980
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