Taiwan Semiconductor Diode ESD 1N5408G DO-201AD 3 mA Tape
Produit épuisé
Informations produit
Description
enquête
Taiwan Semiconductor 1N5408G
Type de boîtier (semi-conducteur): DO-201AD
Contenu: 1 pc(s)
À propos de nous
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informations supplémentaires
Si-DC 1000V 3A DO201AD
Spécifications techniques :
Contenu: 1 pc(s)
Taper (Type de fabricant): 1N5408G
Caractéristiques
- MarqueAUTRES
- Tension électrique1 V
- MatièresPlastique
- Quantité par pack1 .
- Réf. ManoManoME86102046
Impact environnemental
- OrigineFabriqué en Chine
Questions fréquentes
La température maximale de fonctionnement de ce dispositif est de 150 °C.
Le courant de fuite maximal pour ce composant est de 5.000 nA.
La tension directe de ce dispositif est de 1 V.
Réponses générées par IA à partir des informations vendeur
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