Outils de développement de circuits intégrés de mémoire I2C pour appareils portables non volatils MB85RC256V 2,755,5 V

1. L'écran est non volatil et peut être lu/écrit 10 000 milliards de fois dans des conditions normales. 2. Similaire à la mémoire vive dynamique (DRAM), ce module possède une couche ferroélectrique au lieu d'une couche diélectrique. 3. Ce module est particulièrement adapté aux enregistreurs de données basse consommation et à l'atténuation des données dans les zones sans alimentation électrique stable. 4. La puce FRAM utilisée offre 32 Ko de mémoire et peut être cadencée jusqu'à 20 MHz. 5. Chaque octet peut être lu et écrit instantanément, et la capacité de mémoire est de 95 ans à température ambiante. Spécifications : Type de produit : Outil de développement de circuit intégré mémoire ; Adresse : 1010 + A2 + A1 + A0 ; Valeur par défaut : 0 × 50 ; VCC/Logique : 2,7–5,5 V ; Contenu de l'emballage : 1 module, 1 broche