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ON Semiconductor FDC6561AN MOSFET 2 Canal N 700 mW SOT-23-6

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202
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Informations produit

Description

Description générale

Le MOSFET ON Semiconductor FDC6561AN est un transistor à effet de champ de type canal N, conçu pour des applications nécessitant une puissance maximale de 700 mW. Ce composant est encapsulé dans un boîtier SOT-23-6, ce qui le rend adapté pour un montage en surface. Il est idéal pour des circuits de commande à faible puissance et offre une performance fiable dans une large gamme de températures de fonctionnement.

Spécifications techniques

  • Type de FET : Canal N
  • Puissance maximale (P(TOT)) : 700 mW
  • Courant drain (I(d)) : 2.5 A
  • Tension de rupture (U(DSS)) : 30 V
  • Tension de seuil (U(GS)(th)) : 3 V
  • Résistance à l'état passant (R(DS)(on)) : 95 mΩ
  • Capacité d'entrée (C(ISS)) : 220 pF
  • Charge de porte (Q(G)) : 3.2 nC
  • Température de fonctionnement (min.) : -55 °C
  • Température de fonctionnement (max.) : +150 °C
  • Tension de référence (R(DS)(on)) : 10 V
  • Tension de référence (C(ISS)) : 15 V
  • Courant de référence max. : 250 µA
  • Compatibilité et accessoires

  • Type de boîtier : SOT-23-6
  • Conditionnement : 1 pc(s)
  • Caractéristiques

    • Marque
      ON SEMICONDUCTOR
    • Couleur
      Noir
    • Hauteur
      1.45 mm
    • Intensité courant
      2.5 A
    • Largeur
      3 mm
    • Matières
      Plastique
    • Mode de pose électricité
      Saillie
    • Nombre de contact(s)
      2
    • Tension électrique
      5 V
    • Type de bobine
      Classique
    • Réf. ManoMano
      ME81543485
    • MMID
      938263842267
    • Réf. fabricant
      FDC6561AN 2050002640696
    • EAN
      2050002640696

    Questions fréquentes

    Quelle est la température maximale de fonctionnement de ce dispositif ?

    La température maximale de fonctionnement de ce dispositif est de +150 °C.

    Quel est le courant drain maximal que ce composant peut supporter ?

    Ce composant peut supporter un courant drain maximal de 2.5 A.

    Quelle est la résistance à l'état passant de ce transistor ?

    La résistance à l'état passant de ce transistor est de 95 mΩ.

    Réponses générées par IA à partir des informations vendeur
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