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N-mosfet 200v transistor, 65a, 190w Capsule To220ab Irfb4227pbf Irfb4227pbf

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Informations produit

Description

LES SPÉCIFICATIONS TECHNIQUES :

  • Fabricant Infineon (IRF)
  • Type de transistor N-MOSFET
  • Technologie HEXFET
  • Polarisation unipolaire
  • Tension de drainage - source 200V
  • Courant de drainage 65A
  • Puissance dissipée 190W
  • TO220AB logement
  • Tension de la source de la porte ±30V
  • Résistance dans l'État de transfert 26mΩ
  • Assemblée THT
  • Charge de la porte 70nC

Caractéristiques

  • Marque
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Garantie
    3 an(s)
  • Couleur
    Multicouleur
  • Matières
    Plastique
  • Poids
    100 g
  • Puissance
    35 W
  • Tension électrique
    5 V
  • Réf. ManoMano
    ME247530092
  • MMID
    678507253547
  • Réf. fabricant
    52386-DI
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Le spécialiste français du bricolage, maison, jardin

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Livraison et retours gratuits pendant 100 jours avec ManoExpress. ,[object Object]

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