Vishay SUM110P06-07L-E3 MOSFET 1 Canal P 3.75 W TO-263-3

Informations techniques

Abréviation du fabricant (composants) : VIS
C(ISS) : 11400 pF
Caractéristique du transistor : Standard
I(d) : 110 A
Nombre de canaux : 1
Puissance (max) P(TOT) : 3.75 W
Q(G) : 345 nC
Q(G) Tension de référence : 10 V
R(DS)(on) : 6.9 mΩ
R(DS)(on) Courant de référence : 30 A
Série (semiconducteur) : TrenchFET®
Température de fonctionnement (max.) : +175 °C
Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C
Tension de rupture U(BR) (DSS) : 60 V
Tension de référence C(ISS) : 25 V
Tension de référence R(DS)(on) : 10 V
Type (transistors) : Canal P
Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-263-3
Type de montage : montage en saillie
U(DSS) : 60 V
U(GS)(th) Courant de référence max. : 250 µA
U(GS)(th) max. : 3 V