Description générale
Le MOSFET Vishay IRFPE50PBF est un transistor à effet de champ de type canal N, conçu pour des applications nécessitant une puissance élevée. Avec une puissance maximale de 190 W, il est idéal pour des projets d'électronique avancés.Spécifications techniques
- Type : MOSFET Canal N
- Puissance maximale (P(TOT)) : 190 W
- Courant de drain (I(d)) : 7.8 A
- Tension de rupture (U(DSS)) : 800 V
- Résistance à l'état passant (R(DS)(on)) : 1.2 Ω
- Capacité d'entrée (C(ISS)) : 3100 pF
- Charge de grille (Q(G)) : 200 nC
- Température de fonctionnement (max.) : +150 °C
- Température de fonctionnement (min.) : -55 °C
- Tension de seuil de grille (U(GS)(th)) : 4 V
- Tension de référence pour R(DS)(on) : 10 V
- Tension de référence pour C(ISS) : 25 V
- Type de boîtier : TO-247AC
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