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ON Semiconductor FQP47P06 MOSFET 1 Canal P 160 W TO-220-3 A815701

Name: ON Semiconductor FQP47P06 MOSFET 1 Canal P 160 W TO-220-3 A815701
Brand: ON SEMICONDUCTOR
SKU: FQP47P06
Price: 14.7 EUR
Availability: InStock

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Informations produit

Description

Description générale

Le MOSFET ON Semiconductor FQP47P06 est un transistor à effet de champ de type canal P, conçu pour des applications nécessitant une puissance élevée. Avec une puissance maximale de 160 W et un courant de drain de 47 A, ce composant est idéal pour des circuits de commutation et d'amplification. Son boîtier TO-220-3 facilite l'intégration dans divers systèmes électroniques.

Spécifications techniques

Type de FET : Canal P

Puissance maximale (P(TOT)) : 160 W

Courant de drain (I(d)) : 47 A

Tension de rupture (U(DSS)) : 60 V

Température de fonctionnement (max.) : +175 °C

Température de fonctionnement (min.) : -55 °C

Capacité d'entrée (C(ISS)) : 3600 pF

Résistance à l'état passant (R(DS)(on)) : 26 mΩ

Charge de grille (Q(G)) : 110 nC

Tension de référence (U(GS)(th)) : 4 V

Tension de référence (C(ISS)) : 25 V

Tension de référence (R(DS)(on)) : 10 V

Courant de référence max. : 250 µA

Compatibilité et accessoires

Type de montage : trou traversant

Caractéristiques

Marque
ON SEMICONDUCTOR
Longueur
3.2 cm
Puissance
160 W
Tension électrique
10 V
Intensité courant
47 A

Impact environnemental

Origine
Fabriqué en Chine
Certification environnementale
FSC

Questions fréquentes

Ce composant peut fonctionner dans une plage de températures allant de -55 °C à +175 °C, ce qui le rend adapté à des environnements variés et exigeants.

La résistance à l'état passant est de 26 mΩ, mesurée à une tension de référence de 10 V.

Oui, ce composant est conçu pour un montage en trou traversant, ce qui facilite son intégration dans des circuits imprimés.

Réponses générées par IA à partir des informations vendeur

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