Description générale
Le MOSFET IXYS IXTK550N055T2 est un transistor à effet de champ de type canal N, conçu pour des applications nécessitant une puissance élevée. Avec une capacité de courant de 550 A et une puissance maximale de 1250 W, ce composant est idéal pour des usages variés dans le domaine de l'électronique.Spécifications techniques
- Type : Canal N
- Puissance maximale (P(TOT)) : 1250 W
- Courant (I(d)) : 550 A
- Capacité d'entrée (C(ISS)) : 40000 pF
- Charge de porte (Q(G)) : 595 nC
- Tension de référence Q(G) : 10 V
- Résistance à l'état passant (R(DS)(on)) : 1.6 mΩ
- Température de fonctionnement (min.) : -55 °C
- Température de fonctionnement (max.) : +175 °C
- Tension de rupture (U(BR)(DSS)) : 55 V
- Tension de seuil (U(GS)(th)) : 4 V
- Type de boîtier : TO-264
- Type de montage : trou traversant
Compatibilité et accessoires
Autres informations
Ce MOSFET fait partie de la série FRFET® et SuperMOS, offrant des performances standard pour diverses applications électroniques.
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